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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD86350Q5D
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD86350Q5D - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD86350Q5D
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD86350Q5D
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
Description détaillée
Emballage
8-PowerLDFN
Fiche technique
CSD86350Q5D.pdf
État RoHS
En stock: 25707

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD86350Q5D
Texas Instruments - CSD86350Q5D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD86350Q5D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-LSON (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 8V  
Puissance - Max 13W  
Package / Boîte 8-PowerLDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 12.5V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base CSD86350Q5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD86350Q5D

Attributs du produit CSD86350Q5D CSD75301W1015 CSD86350Q5DT CSD85302L
Modèle de produit CSD86350Q5D CSD75301W1015 CSD86350Q5DT CSD85302L
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 7.8nC @ 4.5V
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 8V 100mOhm @ 1A, 4.5V 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Package / Boîte 8-PowerLDFN 6-UFBGA, DSBGA 8-PowerLDFN 4-XFLGA
Puissance - Max 13W 800mW 13W (Ta) 1.7W
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries NexFET™ NexFET™ - NexFET™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-LSON (5x6) 6-DSBGA (1x1.5) 8-LSON (5x6) 4-Picostar (1.31x1.31)
Numéro de produit de base CSD86350Q5 CSD75301 CSD86350 CSD85302
Tension drain-source (Vdss) 25V 20V 25V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 12.5V 195pF @ 10V 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A 1.2A 40A (Ta) -

Fiche technique CSD86350Q5D PDF

Téléchargez CSD86350Q5D PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD86350Q5D - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualification Wire Bond 27/May/2014.pdf
Emballage PCN
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013.pdf
Fiche technique HTML
CSD86350Q5D.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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