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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD87313DMS
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD87313DMS - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD87313DMS
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD87313DMS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
CSD87313DMS.pdf
État RoHS
En stock: 52140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD87313DMS
Texas Instruments - CSD87313DMS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD87313DMS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WSON (3.3x3.3)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base CSD87313  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD87313DMS

Attributs du produit CSD87313DMS CSD87335Q3D CSD86311W1723 CSD87334Q3D
Modèle de produit CSD87313DMS CSD87335Q3D CSD86311W1723 CSD87334Q3D
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - - 4.5A 20A
Numéro de produit de base CSD87313 CSD87335Q3 CSD86311 CSD87334Q3
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - 39mOhm @ 2A, 8V 6mOhm @ 12A, 8V
Fonction FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V 1050pF @ 15V 585pF @ 12.5V 1260pF @ 15V
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 25V 30V
Package composant fournisseur 8-WSON (3.3x3.3) 8-LSON (3.3x3.3) 12-DSBGA 8-VSON (3.3x3.3)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V 7.4nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V 8.3nC @ 4.5V
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerLDFN 12-UFBGA, DSBGA 8-PowerTDFN

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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