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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD75301W1015
CSD75301W1015 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD75301W1015 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD75301W1015
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD75301W1015
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Description détaillée
Emballage
6-UFBGA, DSBGA
Fiche technique
CSD75301W1015.pdf
État RoHS
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD75301W1015
Texas Instruments - CSD75301W1015 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD75301W1015

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-DSBGA (1x1.5)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V  
Puissance - Max 800mW  
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base CSD75301  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD75301W1015

Attributs du produit CSD75301W1015 CSD85301Q2 CSD86330Q3D CSD75211W1723
Modèle de produit CSD75301W1015 CSD85301Q2 CSD86330Q3D CSD75211W1723
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max 800mW 2.3W 6W 1.5W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V 5.4nC @ 4.5V 6.2nC @ 4.5V 5.9nC @ 4.5V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 25V 20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 10V 469pF @ 10V 920pF @ 12.5V 600pF @ 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A 5A 20A 4.5A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V 27mOhm @ 5A, 4.5V 9.6mOhm @ 14A, 8V 40mOhm @ 2A, 4.5V
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerLDFN 12-UFBGA, DSBGA
Numéro de produit de base CSD75301 CSD85301 CSD86330Q3 CSD75211
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Package composant fournisseur 6-DSBGA (1x1.5) 6-WSON (2x2) 8-LSON (3.3x3.3) 12-DSBGA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique CSD75301W1015 PDF

Téléchargez CSD75301W1015 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD75301W1015 - Texas Instruments.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 20/Feb/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Texas Instruments
32D-CSD75301W1015

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