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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD87313DMST
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD87313DMST - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD87313DMST
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD87313DMST
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
CSD87313DMST.pdf
État RoHS
En stock: 19832

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD87313DMST
Texas Instruments - CSD87313DMST Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD87313DMST

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WSON (3.3x3.3)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Puissance - Max 2.7W  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base CSD87313  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD87313DMST

Attributs du produit CSD87313DMST CSD86356Q5D CSD86350Q5D CSD85312Q3E
Modèle de produit CSD87313DMST CSD86356Q5D CSD86350Q5D CSD85312Q3E
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Package composant fournisseur 8-WSON (3.3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-LSON (5x6) 8-VSON (3.3x3.3)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 10.7nC @ 4.5V 15.2nC @ 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V 1870pF @ 12.5V 2390pF @ 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V 6mOhm @ 20A, 8V 12.4mOhm @ 10A, 8V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 40A (Ta) 40A 39A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 5V Drive
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerLDFN 8-PowerVDFN
Puissance - Max 2.7W 12W (Ta) 13W 2.5W
Tension drain-source (Vdss) 30V 25V 25V 20V
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Source
Numéro de produit de base CSD87313 CSD86356 CSD86350Q5 CSD85312
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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