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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD86360Q5D
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD86360Q5D - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD86360Q5D
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD86360Q5D
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
Description détaillée
Emballage
8-PowerLDFN
Fiche technique
CSD86360Q5D.pdf
État RoHS
En stock: 25291

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD86360Q5D
Texas Instruments - CSD86360Q5D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD86360Q5D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-LSON (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Puissance - Max 13W  
Package / Boîte 8-PowerLDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 12.5  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base CSD86360Q5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD86360Q5D

Attributs du produit CSD86360Q5D CSD87330Q3D CSD85312Q3E CSD87333Q3D
Modèle de produit CSD86360Q5D CSD87330Q3D CSD85312Q3E CSD87333Q3D
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Package composant fournisseur 8-LSON (5x6) 8-LSON (3.3x3.3) 8-VSON (3.3x3.3) 8-VSON (3.3x3.3)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 12.5 900pF @ 15V 2390pF @ 10V 662pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V 5.8nC @ 4.5V 15.2nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 25V 30V 20V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - 12.4mOhm @ 10A, 8V 14.3mOhm @ 4A, 8V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 13W 6W 2.5W 6W
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate, 5V Drive
Numéro de produit de base CSD86360Q5 CSD87330 CSD85312 CSD87333Q3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A 20A 39A 15A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA

Fiche technique CSD86360Q5D PDF

Téléchargez CSD86360Q5D PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD86360Q5D - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf CSD86360Q5D 03/Jul/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site Addition 10/Aug/2015.pdf
Emballage PCN
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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