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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD85301Q2
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD85301Q2 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD85301Q2
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD85301Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
CSD85301Q2.pdf
État RoHS
En stock: 127950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD85301Q2
Texas Instruments - CSD85301Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD85301Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-WSON (2x2)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 4.5V  
Puissance - Max 2.3W  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 469pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 5V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base CSD85301  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD85301Q2

Attributs du produit CSD85301Q2 CSD86360Q5D CSD75208W1015 CSD75211W1723
Modèle de produit CSD85301Q2 CSD86360Q5D CSD75208W1015 CSD75211W1723
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V 12.6nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 5.9nC @ 4.5V
Puissance - Max 2.3W 13W 750mW 1.5W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 P-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss) 20V 25V 20V 20V
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerLDFN 6-UFBGA, DSBGA 12-UFBGA, DSBGA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A 50A 1.6A 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 4.5V - 68mOhm @ 1A, 4.5V 40mOhm @ 2A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base CSD85301 CSD86360Q5 CSD75208 CSD75211
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 469pF @ 10V 2060pF @ 12.5 410pF @ 10V 600pF @ 10V
Package composant fournisseur 6-WSON (2x2) 8-LSON (5x6) 6-DSBGA (1x1.5) 12-DSBGA
Fonction FET Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™

Fiche technique CSD85301Q2 PDF

Téléchargez CSD85301Q2 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD85301Q2 - Texas Instruments.

Assemblage / origine PCN
CSDYYY 01/Feb/2019.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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