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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD87333Q3D
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD87333Q3D - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD87333Q3D
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD87333Q3D
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD87333Q3D.pdf
État RoHS
En stock: 81840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD87333Q3D
Texas Instruments - CSD87333Q3D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD87333Q3D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V  
Puissance - Max 6W  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 125°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 662pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 5V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numéro de produit de base CSD87333Q3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD87333Q3D

Attributs du produit CSD87333Q3D CSD86356Q5D CSD86350Q5DT CSD87313DMS
Modèle de produit CSD87333Q3D CSD86356Q5D CSD86350Q5DT CSD87313DMS
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Puissance - Max 6W 12W (Ta) 13W (Ta) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 30V 25V 25V 30V
Package composant fournisseur 8-VSON (3.3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-LSON (5x6) 8-WSON (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A 40A (Ta) 40A (Ta) -
Numéro de produit de base CSD87333Q3 CSD86356 CSD86350 CSD87313
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V -
Séries NexFET™ NexFET™ - NexFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 662pF @ 15V 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V 4290pF @ 15V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerLDFN 8-PowerWDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Fonction FET Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate, 5V Drive - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Fiche technique CSD87333Q3D PDF

Téléchargez CSD87333Q3D PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD87333Q3D - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
CSDYYY 13/Feb/2017.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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