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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTK140N20P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTK140N20P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTK140N20P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTK140N20P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 140A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXTK140N20P.pdf
État RoHS
En stock: 3096

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTK140N20P
IXYS - IXTK140N20P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTK140N20P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK)  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 70A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 800W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTK140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTK140N20P

Attributs du produit IXTK140N20P IXTK110N20L2 IXTK20N150 IXTK120N25
Modèle de produit IXTK140N20P IXTK110N20L2 IXTK20N150 IXTK120N25
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA 4.5V @ 3mA 4.5V @ 1mA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 70A, 10V 24mOhm @ 55A, 10V 1Ohm @ 10A, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 7800 pF @ 25 V 7700 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 800W (Tc) 960W (Tc) 1250W (Tc) 730W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc) 110A (Tc) 20A (Tc) 120A (Tc)
Numéro de produit de base IXTK140 IXTK110 IXTK20 IXTK120
Séries Polar Linear L2™ - MegaMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 1500 V 250 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique IXTK140N20P PDF

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Feuilles de données
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