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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTK120N20P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTK120N20P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTK120N20P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTK120N20P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 120A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXT(K,Q)120N20P.pdf
État RoHS
En stock: 2668

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTK120N20P
IXYS - IXTK120N20P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTK120N20P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK)  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 714W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTK120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTK120N20P

Attributs du produit IXTK120N20P IXTK120N25 IXTH88N15 IXTK17N120L
Modèle de produit IXTK120N20P IXTK120N25 IXTH88N15 IXTK17N120L
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXTK120 IXTK120 IXTH88 IXTK17
Dissipation de puissance (max) 714W (Tc) 730W (Tc) 400W (Tc) 700W (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 7700 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
Emballer Tube Tube Box Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 44A, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries Polar MegaMOS™ - Linear
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 88A (Tc) 17A (Tc)
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-247 (IXTH) TO-264 (IXTK)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 250 V 150 V 1200 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V

Fiche technique IXTK120N20P PDF

Téléchargez IXTK120N20P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTK120N20P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(K,Q)120N20P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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