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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH96N20P
IXTH96N20P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH96N20P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH96N20P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH96N20P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 96A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,Q,T)96N20P.pdf
État RoHS
En stock: 7680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH96N20P
IXYS - IXTH96N20P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH96N20P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 96A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH96  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH96N20P

Attributs du produit IXTH96N20P IXTH75N10 IXTK128N15 IXTK110N20L2
Modèle de produit IXTH96N20P IXTH75N10 IXTK128N15 IXTK110N20L2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries Polar MegaMOS™ MegaMOS™ Linear L2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 500mA, 10V 20mOhm @ 37.5A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 55A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXTH96 IXTH75 IXTK128 IXTK110
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 96A (Tc) 75A (Tc) 128A (Tc) 110A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc) 300W (Tc) 540W (Tc) 960W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 4mA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 150 V 200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IXTH96N20P PDF

Téléchargez IXTH96N20P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH96N20P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(H,Q,T)96N20P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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