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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTK17N120L
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTK17N120L - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTK17N120L
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTK17N120L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 17A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXT(K,X)17N120L.pdf
État RoHS
En stock: 1120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTK17N120L
IXYS - IXTK17N120L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTK17N120L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK)  
Séries Linear  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTK17  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTK17N120L

Attributs du produit IXTK17N120L IXTK21N100 IXTK110N20L2 IXTK20N150
Modèle de produit IXTK17N120L IXTK21N100 IXTK110N20L2 IXTK20N150
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V 550mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 55A, 10V 1Ohm @ 10A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXTK17 IXTK21 IXTK110 IXTK20
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V 250 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Séries Linear MegaMOS™ Linear L2™ -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 7800 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 500µA 4.5V @ 3mA 4.5V @ 1mA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc) 500W (Tc) 960W (Tc) 1250W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 21A (Tc) 110A (Tc) 20A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1000 V 200 V 1500 V

Fiche technique IXTK17N120L PDF

Téléchargez IXTK17N120L PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTK17N120L - IXYS.

Feuilles de données
IXT(K,X)17N120L.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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