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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTK200N10L2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTK200N10L2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTK200N10L2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTK200N10L2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXTK200N10L2.pdf
État RoHS
En stock: 1464

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTK200N10L2
IXYS - IXTK200N10L2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTK200N10L2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK)  
Séries Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1040W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTK200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTK200N10L2

Attributs du produit IXTK200N10L2 IXTK170N10P IXTK200N10P IXTK62N25
Modèle de produit IXTK200N10L2 IXTK170N10P IXTK200N10P IXTK62N25
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) 1040W (Tc) 715W (Tc) 800W (Tc) 390W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXTK200 IXTK170 IXTK200 IXTK62
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA 5V @ 500µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 35mOhm @ 31A, 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc) 170A (Tc) 200A (Tc) 62A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 250 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Séries Linear L2™ Polar Polar MegaMOS™

Fiche technique IXTK200N10L2 PDF

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Feuilles de données
IXTK200N10L2.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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