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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTK20N150
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTK20N150 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTK20N150
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTK20N150
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXT(K,X)20N150.pdf
État RoHS
En stock: 836

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTK20N150
IXYS - IXTK20N150 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTK20N150

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTK20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTK20N150

Attributs du produit IXTK20N150 IXTK128N15 IXTK250N10 IXTK21N100
Modèle de produit IXTK20N150 IXTK128N15 IXTK250N10 IXTK21N100
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXTK20 IXTK128 IXTK250 IXTK21
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 500µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Box Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 1500 V 150 V 100 V 1000 V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Séries - MegaMOS™ MegaMOS™ MegaMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 128A (Tc) 250A (Tc) 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 10A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 5mOhm @ 90A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc) 540W (Tc) 730W (Tc) 500W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IXTK20N150 PDF

Téléchargez IXTK20N150 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTK20N150 - IXYS.

Feuilles de données
IXT(K,X)20N150.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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