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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTK110N20L2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTK110N20L2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTK110N20L2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTK110N20L2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXT(K,X)110N20L2.pdf
État RoHS
En stock: 1010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTK110N20L2
IXYS - IXTK110N20L2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTK110N20L2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK)  
Séries Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 500 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTK110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTK110N20L2

Attributs du produit IXTK110N20L2 IXTK120N25 IXTH80N65X2 IXTH90N15T
Modèle de produit IXTK110N20L2 IXTK120N25 IXTH80N65X2 IXTH90N15T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc) 730W (Tc) 890W (Tc) 455W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA 4V @ 250µA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 1mA
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 40A, 10V 20mOhm @ 45A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 7700 pF @ 25 V 7753 pF @ 25 V 4100 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc) 120A (Tc) 80A (Tc) 90A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXTK110 IXTK120 IXTH80 IXTH90
Séries Linear L2™ MegaMOS™ Ultra X2 Trench
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 500 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 250 V 650 V 150 V

Fiche technique IXTK110N20L2 PDF

Téléchargez IXTK110N20L2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTK110N20L2 - IXYS.

Feuilles de données
IXT(K,X)110N20L2.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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