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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTK200N10P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTK200N10P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTK200N10P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTK200N10P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXTK200N10P.pdf
État RoHS
En stock: 4383

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTK200N10P
IXYS - IXTK200N10P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTK200N10P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK)  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 800W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTK200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTK200N10P

Attributs du produit IXTK200N10P IXTK180N15 IXTK200N10L2 IXTK250N10
Modèle de produit IXTK200N10P IXTK180N15 IXTK200N10L2 IXTK250N10
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Séries Polar MegaMOS™ Linear L2™ MegaMOS™
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 150 V 100 V 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc) 180A (Tc) 200A (Tc) 250A (Tc)
Numéro de produit de base IXTK200 IXTK180 IXTK200 IXTK250
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Box
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 800W (Tc) 730W (Tc) 1040W (Tc) 730W (Tc)
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 90A, 10V

Fiche technique IXTK200N10P PDF

Téléchargez IXTK200N10P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTK200N10P - IXYS.

Feuilles de données
IXTK200N10P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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