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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFB80N50Q2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFB80N50Q2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFB80N50Q2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFB80N50Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFB80N50Q2.pdf
État RoHS
En stock: 1503

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFB80N50Q2
IXYS - IXFB80N50Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFB80N50Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS264™  
Séries HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFB80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFB80N50Q2

Attributs du produit IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFB82N60P IXFB70N60Q2
Modèle de produit IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFB82N60P IXFB70N60Q2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc) 230W (Tc) 1250W (Tc) 890W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IXFB80 IXFC15N80 IXFB82 IXFB70
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V 75mOhm @ 41A, 10V 88mOhm @ 35A, 10V
Séries HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PLUS264™ ISOPLUS220™ PLUS264™ PLUS264™
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tension drain-source (Vdss) 500 V 800 V 600 V 600 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 13A (Tc) 82A (Tc) 70A (Tc)

Fiche technique IXFB80N50Q2 PDF

Téléchargez IXFB80N50Q2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFB80N50Q2 - IXYS.

Feuilles de données
IXFB80N50Q2.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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