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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFC40N30Q
IXFC40N30Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXFC40N30Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFC40N30Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFC40N30Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Emballage
ISOPLUS220™
Fiche technique
IXFC40N30Q.pdf
Notre certification
En stock: 5050

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXFC40N30Q
IXYS - IXFC40N30Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFC40N30Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS220™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte ISOPLUS220™  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Numéro de produit de base IXFC40N30  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFC40N30Q

Attributs du produit IXFC40N30Q IXFC15N80Q IXFE23N100 IXFE180N10
Modèle de produit IXFC40N30Q IXFC15N80Q IXFE23N100 IXFE180N10
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 300 V 800 V 1000 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 650mOhm @ 500mA, 10V 430mOhm @ 11.5A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V
Numéro de produit de base IXFC40N30 IXFC15N80 IXFE23 IXFE180
Température de fonctionnement - -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ SOT-227B SOT-227B
Emballer Tube Tube Box Tube
Package / Boîte ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Séries - HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Vgs (th) (Max) @ Id - 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 13A (Tc) 21A (Tc) 176A (Tc)
Dissipation de puissance (max) - 230W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IXFC40N30Q PDF

Téléchargez IXFC40N30Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFC40N30Q - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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