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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFC15N80Q
IXFC15N80Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFC15N80Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFC15N80Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFC15N80Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Description détaillée
Emballage
ISOPLUS220™
Fiche technique
IXFC15N80Q.pdf
En stock: 3940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFC15N80Q
IXYS - IXFC15N80Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFC15N80Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS220™  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte ISOPLUS220™  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFC15N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFC15N80Q

Attributs du produit IXFC15N80Q IXFC24N50 IXFE180N20 IXFC40N30Q
Modèle de produit IXFC15N80Q IXFC24N50 IXFE180N20 IXFC40N30Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package composant fournisseur ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ SOT-227B ISOPLUS220™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Tension drain-source (Vdss) 800 V 500 V 200 V 300 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 8mA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 21A (Tc) 158A (Tc) -
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 500W (Tc) -
Numéro de produit de base IXFC15N80 IXFC24N50 IXFE180 IXFC40N30
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ -
Package / Boîte ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUS220™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 14400 pF @ 25 V -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V -
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -

Fiche technique IXFC15N80Q PDF

Téléchargez IXFC15N80Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFC15N80Q - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
IXFC15N80Q.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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