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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFB30N120P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFB30N120P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFB30N120P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFB30N120P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFB30N120P.pdf
État RoHS
En stock: 908

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFB30N120P
IXYS - IXFB30N120P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFB30N120P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS264™  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 22500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFB30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFB30N120P

Attributs du produit IXFB30N120P IXFB80N50Q2 IXFB70N60Q2 IXFA6N120P
Modèle de produit IXFB30N120P IXFB80N50Q2 IXFB70N60Q2 IXFA6N120P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PLUS264™ PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA (IXFA)
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 5.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 1mA
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc) 960W (Tc) 890W (Tc) 250W (Tc)
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 88mOhm @ 35A, 10V 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 22500 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 2830 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 80A (Tc) 70A (Tc) 6A (Tc)
Numéro de produit de base IXFB30 IXFB80 IXFB70 IXFA6N120
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 500 V 600 V 1200 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount

Fiche technique IXFB30N120P PDF

Téléchargez IXFB30N120P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFB30N120P - IXYS.

Feuilles de données
IXFB30N120P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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