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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFB70N60Q2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXFB70N60Q2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFB70N60Q2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFB70N60Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFB70N60Q2.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 935

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXFB70N60Q2
IXYS - IXFB70N60Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFB70N60Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS264™  
Séries HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 890W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFB70  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFB70N60Q2

Attributs du produit IXFB70N60Q2 IXFB72N55Q2 IXFB30N120P IXFC15N80Q
Modèle de produit IXFB70N60Q2 IXFB72N55Q2 IXFB30N120P IXFC15N80Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™
Numéro de produit de base IXFB70 IXFB72 IXFB30 IXFC15N80
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 22500 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 550 V 1200 V 800 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V 258 nC @ 10 V 310 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 890W (Tc) 890W (Tc) 1250W (Tc) 230W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur PLUS264™ PLUS264™ PLUS264™ ISOPLUS220™
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 72A (Tc) 30A (Tc) 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 35A, 10V 72mOhm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 500mA, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA
Séries HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique IXFB70N60Q2 PDF

Téléchargez IXFB70N60Q2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFB70N60Q2 - IXYS.

Feuilles de données
IXFB70N60Q2.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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