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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFB60N80P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFB60N80P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFB60N80P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFB60N80P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFB60N80P.pdf
État RoHS
En stock: 1353

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFB60N80P
IXYS - IXFB60N80P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFB60N80P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS264™  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFB60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFB60N80P

Attributs du produit IXFB60N80P IXFC15N80Q IXFB30N120P IXFB44N100P
Modèle de produit IXFB60N80P IXFC15N80Q IXFB30N120P IXFB44N100P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc) 230W (Tc) 1250W (Tc) 1250W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 800 V 800 V 1200 V 1000 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 6.5V @ 1mA 6.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Numéro de produit de base IXFB60 IXFC15N80 IXFB30 IXFB44
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 30A, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 500mA, 10V 220mOhm @ 22A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 310 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18000 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 22500 pF @ 25 V 19000 pF @ 25 V
Package composant fournisseur PLUS264™ ISOPLUS220™ PLUS264™ PLUS264™
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 13A (Tc) 30A (Tc) 44A (Tc)
Fonction FET - - - -

Fiche technique IXFB60N80P PDF

Téléchargez IXFB60N80P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFB60N80P - IXYS.

Feuilles de données
IXFB60N80P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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