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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFC13N50
IXFC13N50 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFC13N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFC13N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFC13N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Description détaillée
Emballage
ISOPLUS220™
Fiche technique
IXFC13N50.pdf
En stock: 4510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFC13N50
IXYS - IXFC13N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFC13N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS220™  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte ISOPLUS220™  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFC13N50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFC13N50

Attributs du produit IXFC13N50 IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFC80N08
Modèle de produit IXFC13N50 IXFB80N50Q2 IXFC15N80Q IXFC80N08
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 5.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 960W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ ISOPLUS220™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 80A (Tc) 13A (Tc) 80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur ISOPLUS220™ PLUS264™ ISOPLUS220™ ISOPLUS220™
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXFC13N50 IXFB80 IXFC15N80 IXFC80N08
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 40A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 800 V 80 V

Fiche technique IXFC13N50 PDF

Téléchargez IXFC13N50 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFC13N50 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
IXFC13N50.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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