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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFB170N30P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFB170N30P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFB170N30P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFB170N30P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFB170N30P.pdf
État RoHS
En stock: 996

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFB170N30P
IXYS - IXFB170N30P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFB170N30P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS264™  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFB170  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFB170N30P

Attributs du produit IXFB170N30P IXFA7N80P IXFB100N50P IXFB60N80P
Modèle de produit IXFB170N30P IXFA7N80P IXFB100N50P IXFB60N80P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc) 200W (Tc) 1890W (Tc) 1250W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 300 V 800 V 500 V 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 49mOhm @ 50A, 10V 140mOhm @ 30A, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 5V @ 1mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Package composant fournisseur PLUS264™ TO-263AA (IXFA) PLUS264™ PLUS264™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170A (Tc) 7A (Tc) 100A (Tc) 60A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Numéro de produit de base IXFB170 IXFA7N80 IXFB100 IXFB60

Fiche technique IXFB170N30P PDF

Téléchargez IXFB170N30P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFB170N30P - IXYS.

Feuilles de données
IXFB170N30P.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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