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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFB100N50P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFB100N50P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFB100N50P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFB100N50P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFB100N50P.pdf
État RoHS
En stock: 1631

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFB100N50P
IXYS - IXFB100N50P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFB100N50P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS264™  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1890W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFB100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFB100N50P

Attributs du produit IXFB100N50P IXFB50N80Q2 IXFA7N80P IXFA7N100P
Modèle de produit IXFB100N50P IXFB50N80Q2 IXFA7N80P IXFA7N100P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 1mA 6V @ 1mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 1890W (Tc) 1135W (Tc) 200W (Tc) 300W (Tc)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IXFB100 IXFB50 IXFA7N80 IXFA7N100
Tension drain-source (Vdss) 500 V 800 V 800 V 1000 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 50A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V

Fiche technique IXFB100N50P PDF

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Feuilles de données
IXFB100N50P.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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