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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH80N65X2
IXTH80N65X2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXTH80N65X2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH80N65X2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH80N65X2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXTH80N65X2.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4502

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXTH80N65X2
IXYS - IXTH80N65X2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH80N65X2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 890W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7753 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 144 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH80  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH80N65X2

Attributs du produit IXTH80N65X2 IXTH90N15T IXTH80N20L IXTK110N20L2
Modèle de produit IXTH80N65X2 IXTH90N15T IXTH80N20L IXTK110N20L2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXTH80 IXTH90 IXTH80 IXTK110
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 144 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V 20mOhm @ 45A, 10V 32mOhm @ 40A, 10V 24mOhm @ 55A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries Ultra X2 Trench Linear Linear L2™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 150 V 200 V 200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7753 pF @ 25 V 4100 pF @ 25 V 6160 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 890W (Tc) 455W (Tc) 520W (Tc) 960W (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 90A (Tc) 80A (Tc) 110A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-264 (IXTK)

Fiche technique IXTH80N65X2 PDF

Téléchargez IXTH80N65X2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH80N65X2 - IXYS.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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