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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH88N30P
IXTH88N30P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH88N30P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH88N30P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH88N30P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 88A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,K,Q,T)88N30P.pdf
État RoHS
En stock: 5089

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH88N30P
IXYS - IXTH88N30P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH88N30P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 44A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH88  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH88N30P

Attributs du produit IXTH88N30P IXTH80N20L IXTH75N15 IXTK128N15
Modèle de produit IXTH88N30P IXTH80N20L IXTH75N15 IXTK128N15
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 44A, 10V 32mOhm @ 40A, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 25 V 6160 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc) 520W (Tc) 330W (Tc) 540W (Tc)
Numéro de produit de base IXTH88 IXTH80 IXTH75 IXTK128
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc) 80A (Tc) 75A (Tc) 128A (Tc)
Séries Polar Linear - MegaMOS™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 300 V 200 V 150 V 150 V
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-264 (IXTK)

Fiche technique IXTH88N30P PDF

Téléchargez IXTH88N30P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH88N30P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(H,K,Q,T)88N30P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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