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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFT88N30P
IXFT88N30P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFT88N30P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFT88N30P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFT88N30P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Description détaillée
Emballage
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Fiche technique
IXF(T,H,K)88N30P.pdf
État RoHS
En stock: 2812

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFT88N30P
IXYS - IXFT88N30P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFT88N30P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-268AA  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 44A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc)  
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFT88  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFT88N30P

Attributs du produit IXFT88N30P IXFX120N20 IXFT26N50Q IXFX120N25
Modèle de produit IXFT88N30P IXFX120N20 IXFT26N50Q IXFX120N25
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-268AA PLUS247™-3 TO-268AA PLUS247™-3
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc) 120A (Tc) 26A (Tc) 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 44A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V
Numéro de produit de base IXFT88 IXFX120 IXFT26 IXFX120
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc) 560W (Tc) 300W (Tc) 560W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 300 V 200 V 500 V 250 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V

Fiche technique IXFT88N30P PDF

Téléchargez IXFT88N30P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFT88N30P - IXYS.

Feuilles de données
IXF(T,H,K)88N30P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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