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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFT26N50Q
IXFT26N50Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFT26N50Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFT26N50Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFT26N50Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Description détaillée
Emballage
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Fiche technique
IXF(H,T)2(4,6)N50Q.pdf
En stock: 5090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFT26N50Q
IXYS - IXFT26N50Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFT26N50Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-268AA  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFT26  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFT26N50Q

Attributs du produit IXFT26N50Q IXFT32N50 IXFT12N100Q IXFR90N30
Modèle de produit IXFT26N50Q IXFT32N50 IXFT12N100Q IXFR90N30
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Package composant fournisseur TO-268AA TO-268AA TO-268AA ISOPLUS247™
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 10000 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IXFT26 IXFT32 IXFT12 IXFR90
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc) 417W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 1000 V 300 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V 150mOhm @ 15A, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 33mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc) 32A (Tc) 12A (Tc) 75A (Tc)

Fiche technique IXFT26N50Q PDF

Téléchargez IXFT26N50Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFT26N50Q - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
IXF(H,T)2(4,6)N50Q.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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