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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFT32N50
IXFT32N50 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFT32N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFT32N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFT32N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Description détaillée
Emballage
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Fiche technique
IXFT32N50.pdf
En stock: 5240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFT32N50
IXYS - IXFT32N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFT32N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-268AA  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFT32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFT32N50

Attributs du produit IXFT32N50 IXFT88N30P IXFR66N50Q2 IXFT44N50P
Modèle de produit IXFT32N50 IXFT88N30P IXFR66N50Q2 IXFT44N50P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXFT32 IXFT88 IXFR66 IXFT44
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 9125 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 85mOhm @ 33A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Package composant fournisseur TO-268AA TO-268AA ISOPLUS247™ TO-268AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc) 88A (Tc) 50A (Tc) 44A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 600W (Tc) 500W (Tc) 658W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 300 V 500 V 500 V

Fiche technique IXFT32N50 PDF

Téléchargez IXFT32N50 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFT32N50 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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