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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFT52N30Q
IXFT52N30Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFT52N30Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFT52N30Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFT52N30Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 52A TO268
Description détaillée
Emballage
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Fiche technique
IXF(H,K,T)52N30Q.pdf
En stock: 4690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFT52N30Q
IXYS - IXFT52N30Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFT52N30Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-268AA  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFT52  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFT52N30Q

Attributs du produit IXFT52N30Q IXFT140N10P IXFT44N50P IXFT60N50P3
Modèle de produit IXFT52N30Q IXFT140N10P IXFT44N50P IXFT60N50P3
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Emballer Tube Box Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc) 140A (Tc) 44A (Tc) 60A (Tc)
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar3™
Package composant fournisseur TO-268AA TO-268AA TO-268AA TO-268AA
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 600W (Tc) 658W (Tc) 1040W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IXFT52 IXFT140 IXFT44 IXFT60
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V 6250 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA
Tension drain-source (Vdss) 300 V 100 V 500 V 500 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 70A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 30A, 10V
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IXFT52N30Q PDF

Téléchargez IXFT52N30Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFT52N30Q - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
IXF(H,K,T)52N30Q.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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