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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFX150N30P3
IXFX150N30P3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFX150N30P3 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFX150N30P3
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFX150N30P3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
IXFx150N30P3.pdf
État RoHS
En stock: 3224

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFX150N30P3
IXYS - IXFX150N30P3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFX150N30P3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS247™-3  
Séries HiPerFET™, Polar3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 197 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFX150  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFX150N30P3

Attributs du produit IXFX150N30P3 IXFX120N25 IXFX120N65X2 IXFX120N20
Modèle de produit IXFX150N30P3 IXFX120N25 IXFX120N65X2 IXFX120N20
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 300 V 250 V 650 V 200 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™
Numéro de produit de base IXFX150 IXFX120 IXFX120 IXFX120
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Dissipation de puissance (max) 1300W (Tc) 560W (Tc) 1250W (Tc) 560W (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12100 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 75A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 197 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique IXFX150N30P3 PDF

Téléchargez IXFX150N30P3 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFX150N30P3 - IXYS.

Feuilles de données
IXFx150N30P3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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