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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFT50N60P3-TRL
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFT50N60P3-TRL - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFT50N60P3-TRL
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFT50N60P3-TRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Description détaillée
Emballage
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Fiche technique
IXFT50N60P3-TRL.pdf
État RoHS
En stock: 3463

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFT50N60P3-TRL
IXYS - IXFT50N60P3-TRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFT50N60P3-TRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-268  
Séries HiPerFET™, Polar3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.04kW (Tc)  
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFT50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFT50N60P3-TRL

Attributs du produit IXFT50N60P3-TRL IXFT94N30P3 IXFX120N25 IXFT88N30P
Modèle de produit IXFT50N60P3-TRL IXFT94N30P3 IXFX120N25 IXFT88N30P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 25A, 10V 36mOhm @ 47A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 44A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 94A (Tc) 120A (Tc) 88A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 5V @ 4mA
Séries HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 102 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IXFT50 IXFT94 IXFX120 IXFT88
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 300 V 250 V 300 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 25 V 5510 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-268 TO-268AA PLUS247™-3 TO-268AA
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 1.04kW (Tc) 1040W (Tc) 560W (Tc) 600W (Tc)

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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