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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFX120N20
IXFX120N20 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFX120N20 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFX120N20
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFX120N20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
IXF(X,K)120N20.pdf
État RoHS
En stock: 2939

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFX120N20
IXYS - IXFX120N20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFX120N20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS247™-3  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFX120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFX120N20

Attributs du produit IXFX120N20 IXFT50N60P3-TRL IXFT58N20Q IXFX180N10
Modèle de produit IXFX120N20 IXFT50N60P3-TRL IXFT58N20Q IXFX180N10
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package composant fournisseur PLUS247™-3 TO-268 TO-268AA PLUS247™-3
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc) 1.04kW (Tc) 300W (Tc) 560W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 8mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 600 V 200 V 100 V
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 50A (Tc) 58A (Tc) 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 60A, 10V 145mOhm @ 25A, 10V 40mOhm @ 29A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 10900 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™
Numéro de produit de base IXFX120 IXFT50 IXFT58 IXFX180
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IXFX120N20 PDF

Téléchargez IXFX120N20 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFX120N20 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXF(X,K)120N20.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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