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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFT140N10P
IXFT140N10P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFT140N10P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFT140N10P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFT140N10P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Description détaillée
Emballage
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Fiche technique
IXF(H,T)140N10P.pdf
État RoHS
En stock: 6137

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFT140N10P
IXYS - IXFT140N10P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFT140N10P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-268AA  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc)  
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFT140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFT140N10P

Attributs du produit IXFT140N10P IXFR70N15 IXFT52N30Q IXFR50N50
Modèle de produit IXFT140N10P IXFR70N15 IXFT52N30Q IXFR50N50
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc) 250W (Tc) 360W (Tc) 400W (Tc)
Emballer Box Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc) 67A (Tc) 52A (Tc) 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V 28mOhm @ 35A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-268AA ISOPLUS247™ TO-268AA ISOPLUS247™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 150 V 300 V 500 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IXFT140 IXFR70 IXFT52 IXFR50

Fiche technique IXFT140N10P PDF

Téléchargez IXFT140N10P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFT140N10P - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,T)140N10P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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