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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFC80N08
IXFC80N08 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFC80N08 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFC80N08
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFC80N08
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Description détaillée
Emballage
ISOPLUS220™
Fiche technique
IXFC80N08/85.pdf
En stock: 5030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFC80N08
IXYS - IXFC80N08 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFC80N08

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS220™  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte ISOPLUS220™  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFC80N08  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFC80N08

Attributs du produit IXFC80N08 IXFE44N60 IXFE180N10 IXFE180N20
Modèle de produit IXFC80N08 IXFE44N60 IXFE180N10 IXFE180N20
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 80 V 600 V 100 V 200 V
Type de montage Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 41A (Tc) 176A (Tc) 158A (Tc)
Package composant fournisseur ISOPLUS220™ SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 40A, 10V 130mOhm @ 22A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA
Numéro de produit de base IXFC80N08 IXFE44 IXFE180 IXFE180
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte ISOPLUS220™ SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 14400 pF @ 25 V

Fiche technique IXFC80N08 PDF

Téléchargez IXFC80N08 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFC80N08 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
IXFC80N08/85.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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