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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP36NF06L
STP36NF06L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP36NF06L - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP36NF06L
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP36NF06L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(B,P)36NF06L.pdf
État RoHS
En stock: 64280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP36NF06L
STMicroelectronics - STP36NF06L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP36NF06L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base STP36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP36NF06L

Attributs du produit STP36NF06L STP35NF10 STP3LN62K3 STP3N150
Modèle de produit STP36NF06L STP35NF10 STP3LN62K3 STP3N150
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base STP36 STP35N STP3LN STP3N150
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V 55 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 29.3 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 115W (Tc) 45W (Tc) 140W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V 386 pF @ 50 V 939 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 40A (Tc) 2.5A (Tc) 2.5A (Tc)
Vgs (Max) ±18V ±20V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V 35mOhm @ 17.5A, 10V 3Ohm @ 1.25A, 10V 9Ohm @ 1.3A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries STripFET™ II STripFET™ II SuperMESH3™ PowerMESH™
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 620 V 1500 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STP36NF06L PDF

Téléchargez STP36NF06L PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP36NF06L - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf Power MOSFET 14/Dec/2016.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Site Chg 14/Feb/2020.pdf
Feuilles de données
ST(B,P)36NF06L.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP36NF06L

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32D-STP36NF06L

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