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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP36NF06
STP36NF06 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP36NF06 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP36NF06
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP36NF06
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP36NF06(FP).pdf
État RoHS
En stock: 4500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP36NF06
STMicroelectronics - STP36NF06 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP36NF06

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base STP36N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP36NF06

Attributs du produit STP36NF06 STP34NM60ND STP35N60DM2 STP38N65M5
Modèle de produit STP36NF06 STP34NM60ND STP35N60DM2 STP38N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 60 V 600 V 600 V 650 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STP36N STP34 STP35 STP38
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V 2785 pF @ 50 V 2400 pF @ 100 V 3000 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 190W (Tc) 210W (Tc) 190W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±25V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 29A (Tc) 28A (Tc) 30A (Tc)
Séries STripFET™ II FDmesh™ II MDmesh™ DM2 MDmesh™ V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V 95mOhm @ 15A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 80.4 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V

Fiche technique STP36NF06 PDF

Téléchargez STP36NF06 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP36NF06 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STP36NF06(FP).pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL 22/Feb/2016.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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