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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP35N65M5
STP35N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP35N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP35N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP35N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx35N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 4610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP35N65M5
STMicroelectronics - STP35N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP35N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc)  
Numéro de produit de base STP35N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP35N65M5

Attributs du produit STP35N65M5 STP34NM60N STP35NF10 STP36NF06FP
Modèle de produit STP35N65M5 STP34NM60N STP35NF10 STP36NF06FP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 100 V 2722 pF @ 100 V 1550 pF @ 25 V 690 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 250W (Tc) 115W (Tc) 25W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 13.5A, 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V 35mOhm @ 17.5A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V
Numéro de produit de base STP35N STP34 STP35N STP36N
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc) 29A (Tc) 40A (Tc) 18A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220FP
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries MDmesh™ V MDmesh™ II STripFET™ II STripFET™ II
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 100 V 60 V

Fiche technique STP35N65M5 PDF

Téléchargez STP35N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP35N65M5 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Feuilles de données
STx35N65M5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP35N65M5

STMicroelectronics
32D-STP35N65M5

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