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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP38N65M5
STP38N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP38N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP38N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP38N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 30A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx38N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 13092

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP38N65M5
STMicroelectronics - STP38N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP38N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base STP38  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP38N65M5

Attributs du produit STP38N65M5 STP36NF06 STP3LN62K3 STP36NF06FP
Modèle de produit STP38N65M5 STP36NF06 STP3LN62K3 STP36NF06FP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 100 V 690 pF @ 25 V 386 pF @ 50 V 690 pF @ 25 V
Numéro de produit de base STP38 STP36N STP3LN STP36N
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc) 25W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 15A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V 3Ohm @ 1.25A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Séries MDmesh™ V STripFET™ II SuperMESH3™ STripFET™ II
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 2.5A (Tc) 18A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 60 V 620 V 60 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220FP
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±20V

Fiche technique STP38N65M5 PDF

Téléchargez STP38N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP38N65M5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
STx38N65M5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP38N65M5

STMicroelectronics
32D-STP38N65M5

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