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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP3HNK90Z
STP3HNK90Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP3HNK90Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP3HNK90Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP3HNK90Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(F,P)3HNK90Z.pdf
État RoHS
En stock: 3920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP3HNK90Z
STMicroelectronics - STP3HNK90Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP3HNK90Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base STP3HN  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP3HNK90Z

Attributs du produit STP3HNK90Z STP3N80K5 STP3N150 STP36NF06
Modèle de produit STP3HNK90Z STP3N80K5 STP3N150 STP36NF06
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 800 V 800 V 1500 V 60 V
Séries SuperMESH™ SuperMESH5™ PowerMESH™ STripFET™ II
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V 130 pF @ 100 V 939 pF @ 25 V 690 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 1.5A, 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V 9Ohm @ 1.3A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Numéro de produit de base STP3HN STP3N80 STP3N150 STP36N
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 2.5A (Tc) 2.5A (Tc) 30A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 60W (Tc) 140W (Tc) 70W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 29.3 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique STP3HNK90Z PDF

Téléchargez STP3HNK90Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP3HNK90Z - STMicroelectronics.

Feuilles de données
ST(F,P)3HNK90Z.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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