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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP35N65DM2
STP35N65DM2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP35N65DM2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP35N65DM2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP35N65DM2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP35N65DM2.pdf
État RoHS
En stock: 9423

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP35N65DM2
STMicroelectronics - STP35N65DM2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP35N65DM2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2540 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)  
Numéro de produit de base STP35  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP35N65DM2

Attributs du produit STP35N65DM2 STP36NF06FP STP34NM60N STP36N55M5
Modèle de produit STP35N65DM2 STP36NF06FP STP34NM60N STP36N55M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220
Séries MDmesh™ DM2 STripFET™ II MDmesh™ II MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 16A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V 80mOhm @ 16.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc) 18A (Tc) 29A (Tc) 33A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56.3 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base STP35 STP36N STP34 STP36N
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2540 pF @ 100 V 690 pF @ 25 V 2722 pF @ 100 V 2670 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 25W (Tc) 250W (Tc) 190W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 650 V 60 V 600 V 550 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V

Fiche technique STP35N65DM2 PDF

Téléchargez STP35N65DM2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP35N65DM2 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STP35N65DM2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP35N65DM2

STMicroelectronics
32D-STP35N65DM2

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