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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD75208W1015T
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L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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CSD75208W1015T - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD75208W1015T
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD75208W1015T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
Emballage
6-UFBGA, DSBGA
Fiche technique
CSD75208W1015T.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 47770

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques CSD75208W1015T
Texas Instruments - CSD75208W1015T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD75208W1015T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-DSBGA (1x1.5)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1A, 4.5V  
Puissance - Max 750mW  
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A  
Configuration 2 P-Channel (Dual) Common Source  
Numéro de produit de base CSD75208  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD75208W1015T

Attributs du produit CSD75208W1015T CSD75207W15 CSD85301Q2 CSD83325LT
Modèle de produit CSD75208W1015T CSD75207W15 CSD85301Q2 CSD83325LT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 750mW 700mW 2.3W 2.3W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V 595pF @ 10V 469pF @ 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1A, 4.5V 162mOhm @ 1A, 1.8V 27mOhm @ 5A, 4.5V -
Configuration 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tension drain-source (Vdss) 20V - 20V 12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A 3.9A 5A -
Numéro de produit de base CSD75208 CSD75207 CSD85301 CSD83325
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 3.7nC @ 4.5V 5.4nC @ 4.5V 10.9nC @ 4.5V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Package composant fournisseur 6-DSBGA (1x1.5) 9-DSBGA 6-WSON (2x2) 6-PicoStar
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 5V Drive -
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA 6-WDFN Exposed Pad 6-XFBGA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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