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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTK62N25
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTK62N25 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTK62N25
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTK62N25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 62A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXTK62N25.pdf
État RoHS
En stock: 3780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTK62N25
IXYS - IXTK62N25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTK62N25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK)  
Séries MegaMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 31A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 390W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 62A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTK62  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTK62N25

Attributs du produit IXTK62N25 IXTK90N15 IXTK20N150 IXTK22N100L
Modèle de produit IXTK62N25 IXTK90N15 IXTK20N150 IXTK22N100L
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package composant fournisseur TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 1mA 5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 250 V 150 V 1500 V 1000 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 62A (Tc) 90A (Tc) 20A (Tc) 22A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IXTK62 IXTK90 IXTK20 IXTK22
Séries MegaMOS™ MegaMOS™ - Linear
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 31A, 10V 16mOhm @ 45A, 10V 1Ohm @ 10A, 10V 600mOhm @ 11A, 20V
Dissipation de puissance (max) 390W (Tc) 390W (Tc) 1250W (Tc) 700W (Tc)
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V 7800 pF @ 25 V 7050 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 270 nC @ 15 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IXTK62N25 PDF

Téléchargez IXTK62N25 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTK62N25 - IXYS.

Feuilles de données
IXTK62N25.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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