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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA76N25T
IXTA76N25T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA76N25T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA76N25T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA76N25T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXT(A,H,P,Q,T)76N25T.pdf
État RoHS
En stock: 14594

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA76N25T
IXYS - IXTA76N25T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA76N25T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 460W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 76A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA76  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA76N25T

Attributs du produit IXTA76N25T IXTA86N20T IXTA6N50D2 IXTA76N075T
Modèle de produit IXTA76N25T IXTA86N20T IXTA6N50D2 IXTA76N075T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 1mA - 4V @ 50µA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fonction FET - - Depletion Mode -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 2580 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 76A (Tc) 86A (Tc) 6A (Tc) 76A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 96 nC @ 5 V 57 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 500mA, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V 500mOhm @ 3A, 0V 12mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max) 460W (Tc) 480W (Tc) 300W (Tc) 176W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 250 V 200 V 500 V 75 V
Séries Trench Trench Depletion TrenchMV™
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXTA76 IXTA86 IXTA6 IXTA76

Fiche technique IXTA76N25T PDF

Téléchargez IXTA76N25T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA76N25T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,H,P,Q,T)76N25T.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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