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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA6N50D2
IXTA6N50D2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA6N50D2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA6N50D2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA6N50D2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXT(A,P,H)6N50D2.pdf
État RoHS
En stock: 7571

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA6N50D2
IXYS - IXTA6N50D2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA6N50D2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Depletion  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3A, 0V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Depletion Mode  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA6N50D2

Attributs du produit IXTA6N50D2 IXTA80N10T IXTA52P10P IXTA48P05T
Modèle de produit IXTA6N50D2 IXTA80N10T IXTA52P10P IXTA48P05T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 100 V 50 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±15V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 3040 pF @ 25 V 2845 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 80A (Tc) 52A (Tc) 48A (Tc)
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IXTA6 IXTA80 IXTA52 IXTA48
Vgs (th) (Max) @ Id - 5V @ 100µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Séries Depletion Trench PolarP™ TrenchP™
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3A, 0V 14mOhm @ 25A, 10V 50mOhm @ 52A, 10V 30mOhm @ 24A, 10V
Fonction FET Depletion Mode - - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 5 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V

Fiche technique IXTA6N50D2 PDF

Téléchargez IXTA6N50D2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA6N50D2 - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,P,H)6N50D2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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