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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA52P10P
IXTA52P10P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA52P10P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA52P10P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA52P10P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXT(A,H,P,Q)52P10P.pdf
État RoHS
En stock: 12974

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA52P10P
IXYS - IXTA52P10P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA52P10P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries PolarP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 52A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2845 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA52  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA52P10P

Attributs du produit IXTA52P10P IXTA44P15T IXTA3N50D2 IXTA60N20T
Modèle de produit IXTA52P10P IXTA44P15T IXTA3N50D2 IXTA60N20T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries PolarP™ TrenchP™ Depletion Trench
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2845 pF @ 25 V 13400 pF @ 25 V 1070 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 150 V 500 V 200 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA - 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 298W (Tc) 125W (Tc) 500W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 175 nC @ 10 V 40 nC @ 5 V 73 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 52A, 10V 65mOhm @ 22A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 0V 40mOhm @ 30A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc) 44A (Tc) 3A (Tc) 60A (Tc)
Numéro de produit de base IXTA52 IXTA44 IXTA3 IXTA60
Fonction FET - - Depletion Mode -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Vgs (Max) ±20V ±15V ±20V ±20V

Fiche technique IXTA52P10P PDF

Téléchargez IXTA52P10P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA52P10P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,H,P,Q)52P10P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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