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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA50N25T
IXTA50N25T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA50N25T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA50N25T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA50N25T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf
État RoHS
En stock: 10889

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA50N25T
IXYS - IXTA50N25T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA50N25T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA50N25T

Attributs du produit IXTA50N25T IXTA3N150HV IXTA76N075T IXTA3N120-TRL
Modèle de produit IXTA50N25T IXTA3N150HV IXTA76N075T IXTA3N120-TRL
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 1375 pF @ 25 V 2580 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 3A (Tc) 76A (Tc) 3A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V 7.3Ohm @ 1.5A, 10V 12mOhm @ 25A, 10V 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 1500 V 75 V 1200 V
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries Trench - TrenchMV™ -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 38.6 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IXTA50 IXTA3 IXTA76 IXTA3
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc) 250W (Tc) 176W (Tc) 200W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 250µA 4V @ 50µA 5V @ 250µA

Fiche technique IXTA50N25T PDF

Téléchargez IXTA50N25T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA50N25T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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