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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTC13N50
IXTC13N50 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTC13N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTC13N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTC13N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Description détaillée
Emballage
ISOPLUS220™
Fiche technique
IXTC13N50.pdf
En stock: 4130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTC13N50
IXYS - IXTC13N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTC13N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS220™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte ISOPLUS220™  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTC13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTC13N50

Attributs du produit IXTC13N50 IXTA86N20T IXTB62N50L IXTH102N20T
Modèle de produit IXTC13N50 IXTA86N20T IXTB62N50L IXTH102N20T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V
Séries - Trench Linear Trench
Package composant fournisseur ISOPLUS220™ TO-263AA PLUS264™ TO-247 (IXTH)
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 480W (Tc) 800W (Tc) 750W (Tc)
Numéro de produit de base IXTC13 IXTA86 IXTB62 IXTH102
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 86A (Tc) 62A (Tc) 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 31A, 20V 23mOhm @ 500mA, 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 200 V 500 V 200 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 20V 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 5V @ 1mA 5.5V @ 250µA 4.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte ISOPLUS220™ TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-264-3, TO-264AA TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 550 nC @ 20 V 114 nC @ 10 V

Fiche technique IXTC13N50 PDF

Téléchargez IXTC13N50 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTC13N50 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
IXTC13N50.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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