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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA60N20T
IXTA60N20T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA60N20T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA60N20T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA60N20T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXT(A,P,Q)60N20T.pdf
État RoHS
En stock: 9214

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA60N20T
IXYS - IXTA60N20T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA60N20T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4530 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA60N20T

Attributs du produit IXTA60N20T IXTA80N10T IXTA6N50D2 IXTA50N25T
Modèle de produit IXTA60N20T IXTA80N10T IXTA6N50D2 IXTA50N25T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 96 nC @ 5 V 78 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 500 V 250 V
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries Trench Trench Depletion Trench
Fonction FET - - Depletion Mode -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4530 pF @ 25 V 3040 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA - 5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 25A, 10V 500mOhm @ 3A, 0V 50mOhm @ 25A, 10V
Numéro de produit de base IXTA60 IXTA80 IXTA6 IXTA50
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 400W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 80A (Tc) 6A (Tc) 50A (Tc)

Fiche technique IXTA60N20T PDF

Téléchargez IXTA60N20T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA60N20T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,P,Q)60N20T.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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