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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFR15N80Q
IXFR15N80Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFR15N80Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFR15N80Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFR15N80Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFR15N80Q.pdf
État RoHS
En stock: 4060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFR15N80Q
IXYS - IXFR15N80Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFR15N80Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS247™  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFR15  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFR15N80Q

Attributs du produit IXFR15N80Q IXFQ60N25X3 IXFR120N20 IXFR21N100Q
Modèle de produit IXFR15N80Q IXFQ60N25X3 IXFR120N20 IXFR21N100Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 7.5A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 3610 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 5900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 60A (Tc) 105A (Tc) 18A (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3 TO-247-3
Tension drain-source (Vdss) 800 V 250 V 200 V 1000 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 1.5mA 4V @ 8mA 5V @ 4mA
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Numéro de produit de base IXFR15 IXFQ60 IXFR120 IXFR21
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 320W (Tc) 417W (Tc) 350W (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur ISOPLUS247™ TO-3P ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique IXFR15N80Q PDF

Téléchargez IXFR15N80Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFR15N80Q - IXYS.

Feuilles de données
IXFR15N80Q.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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